DDR2价格反弹圣诞订单使2GbNAND闪存上扬3电子设备行业资讯资讯-【资讯】

根据内存市场研究机构DRAMeXchange最新调查显示，由于DRAM厂商面临过低的DRAM价格不愿放货，导致带动UTT(未经完整测试)产品的价格反弹。 　　上周适逢香港12月24日至12月27日的圣诞节假期，市场上买家也较为谨慎的掌控手中的库存，部分系统整合商以及OEM厂也不愿意在年底前买货增加库存，使得上周现货市场方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M×8)400MHz/333MHz/266MHz价格维持在2.0美元到2.45美元之间，没有太大变化。而UTT(ETT)部分，买家仍希望以较低的价格购买，但市场上2.0美元以下供应的数量不多，因此价格由12月20日的1.98美元反弹至2.02美元。同时，DDR2部分由于已传出供给紧张，交易量逐渐放大，价格由3.72美元反弹至3.73美元。 　　DRAMeXchange指出，年末最后一周DRAM市场受到现货价格上涨的鼓舞及持续强劲的客户需求，12月下旬合同价格谈判中，DRAM厂试图小幅调涨合同价格，但大部份的DDR及DDR2台式及笔记本电脑模块的合同价格仍以持平成交，而服务器模块已有一些厂商成功上调成交价格。 　　至于这周NAND闪存市场的部分，高容量NAND闪存的现货价格持续下跌且有减缓跌势的状况，跌价部份仅包括16Gb；低容量部分的价格却朝另一个方向移动呈现上扬，本周2Gb的价格就上扬了3%。 　　这周下旬，现货市场绝大部分来自美国，而欧洲和香港地区的厂商开始长假，所以减少了现货市场中来源的供应。然而NAND闪存现货市场由于年末时有限供应的情况，MP3播放器制造商在现货市场里寻找1Gb与2Gb NAND闪存。最后几笔为了购买上述两部分所下的订单，促使现货价格最高上扬3%。 　　紧接着2006年第一周即将来到，春节时期的需求将慢慢显现出来。DRAMeXchange预测这股对NAND闪存需求将持续到2006年1月。然而NAND闪存现货价的走势，将会根据NAND闪存制造厂商的生产状况而定。另外，目前大多数的DRAM厂均乐观地表示，将于2006年1月下旬调高合同价格，预计第一季度上半部分，DRAM合同价格仍有所支撑。

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